Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.
Збережено в:
Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
---|---|
Дата: | 2017 |
Автори: | Ismayilova, N.A., Orudzhev G.S. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125495 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
First-Principles Calculation of Electronic Structure and Effective Mass of a TlInS₂ Crystal
за авторством: Ismayilova, N.A., та інші
Опубліковано: (2016) -
Temperature Evolution of Charge Carrier Density in the Centre of the Brillouin Zone of Fe(Se,Te) Superconductor
за авторством: Pustovit, Yu.V., та інші
Опубліковано: (2018) -
Electrical Resistivity of the Y(Ga,Al)₂, Y(Ga,Si)₂ and Y(Ga,Ge)₂ Solid Solutions with Structure of AlB₂ Type
за авторством: Semen’ko, M.P., та інші
Опубліковано: (2017) -
Температурна залежність електронної структури FeSe
за авторством: Пустовіт, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2017) -
Структура та магнетні властивості стопу Fe₂MnGa
за авторством: Кудрявцев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)