Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
Electronic band structure and defect formation energy of TlGaSe₂ are studied using density functional method within the Local Density Approximation.
Збережено в:
| Видавець: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Металлофизика и новейшие технологии |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125495 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal / N.A. Ismayilova, G. S. Orudzhev // Металлофизика и новейшие технологии. — 2017. — Т. 39, № 5. — С. 657-664. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!