Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки

Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки

Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного б...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Дата:2012
Автор: Цысарь, М.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2012
Назва видання:Сверхтвердые материалы
Теми:
Получение, структура, свойства
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125979
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-125979
record_format dspace
spelling irk-123456789-1259792017-11-12T03:02:47Z Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки Цысарь, М.А. Получение, структура, свойства Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна. Проведено фізико-математичне моделювання поверхні ta-C-вуглецевої алмазоподібної плівки для зони переходу sp²/sp³-фаз і представлено результати її дослідження методом сканівної тунельної мікроскопії з використанням індентору із напівпровідникового монокристалу алмазу, легованого бором. Показано, що перепад висот в граничному шарі sp²/sp³-фаз не пов’язаний з функціональними особливостями тунельного мікроскопу. З використанням трьох незалежних методів проведено фрактальний аналіз поверхні, контуру і профілю перетину, на основі чого підтверджено факт приналежності поверхні до фрактальних броунівських. Показано, що площа реальної поверхні може значно перевищувати площу видимого контактного вікна. A physicomathematical modeling of the surface of a diamond-like carbon (ta-C) film is performed for the sp²/sp³ phase transition region, and results of scanning tunneling microscopic examination using a boron-doped single-crystal semiconductor diamond tip are provided. It is demonstrated that the height difference in the sp²/sp³ interface layer is not related to functional features of the tunneling microscope. A fractal analysis of the surface, contour, and profile of the section has been carried out by three independent methods; and the findings confirm that the surface belongs to the category of fractal Browning surfaces. It is shown that the real surface area under study can greatly exceed the area of the visible contact window.. 2012 Article Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 0203-3119 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125979 691.327:666.973.6 ru Сверхтвердые материалы Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Получение, структура, свойства
Получение, структура, свойства
spellingShingle Получение, структура, свойства
Получение, структура, свойства
Цысарь, М.А.
Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
Сверхтвердые материалы
description Проведено физико-математическое моделирование поверхности алмазоподобной углеродной (ta-C) пленки для области перехода sp²/sp³-фаз и представлены результаты ее исследования методом сканирующей туннельной микроскопии при использовании острия из полупроводникового монокристалла алмаза, легированного бором. Показано, что перепад высот в граничном слое sp²/sp³-фаз не связан с функциональными особенностями туннельного микроскопа. С использованием трех независимых методов проведен фрактальный анализ поверхности, контура и профиля сечения, и на основе этого подтвержден факт принадлежности поверхности к фрактальным броуновским. Показано, что площадь реальной исследуемой поверхности может значительно превышать площадь видимого контактного окна.
format Article
author Цысарь, М.А.
author_facet Цысарь, М.А.
author_sort Цысарь, М.А.
title Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_short Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_full Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_fullStr Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_full_unstemmed Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки
title_sort использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-c-пленки
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
publishDate 2012
topic_facet Получение, структура, свойства
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/125979
citation_txt Использование сканирующего туннельного микроскопа с алмазным острием для исследования структурных особенностей ta-C-пленки / М.А. Цысарь // Сверхтвердые материалы. — 2012. — № 3. — С. 52-61. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Сверхтвердые материалы
work_keys_str_mv AT cysarʹma ispolʹzovanieskaniruûŝegotunnelʹnogomikroskopasalmaznymostriemdlâissledovaniâstrukturnyhosobennostejtacplenki
first_indexed 2023-10-18T20:49:48Z
last_indexed 2023-10-18T20:49:48Z
_version_ 1796151217241456640

Схожі ресурси