Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs
В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования к...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127531 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs / В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 194-206. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования контактирующих полупроводников. При
исследовании вертикального магнитотранспорта через разъединенную гетерограницу II типа
GaInAsSb/p-InAs показано, что увеличение локализации двумерных электронов в электронном канале на границе раздела приводит к образованию «мягкой» кулоновской щели в туннельной плотности состояний. В магнитных полях до 15 Тл при гелиевых температурах обнаружен переход от состояния с «мягкой» кулоновской щелью в диэлектрическое состояние
(жесткая энергетическая щель при величине проводимости σtun ~ 10⁻⁸ Ом⁻¹) при условии
расположения уровня Ферми для двумерных электронов в интервале между наинизшими уровнями Ландау для плато 2 на зависимости xy. При увеличении внешнего смещения на гетеропереходе пороговый выход из диэлектрического состояния связан с одноэлектронным туннелированием между отдельными замкнутыми областями из делокализованных электронных
состояний уровня Ландау, ближайшего к уровню Ферми. |
---|