Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs
В разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования к...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127531 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs / В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, В.И. Нижанковский, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 194-206. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |