Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility

• Дата: 2007
• Автори: Arapov, Yu.G., Harus, G.I., Karskanov, I.V., Neverov, V.N., Shelushinina, N.G., Yakunin, M.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электронные свойства низкоразмерных систем
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127532
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility / Yu.G Arapov, G.I. Harus, I.V. Karskanov, V.N. Neverov, N.G.Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 207-210. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

The apparent insulator—quantum Hall—insulator (I—QH—I) transition for filling factor 1 has been investigated in p-type Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with εFτ/h ≈ 1. Scaling analysis is carried out for both the low- and high-field transition point. In low magnetic fields ωcτ < 1 pronounced QH...