Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si

• Дата: 2007
• Автори: Васьковский, В.О., Патрин, Г.С., Великанов, Д.А., Свалов, А.В., Щеголева, Н.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127750
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si / В.О. Васьковский, Г.С. Патрин, Д.А. Великанов, А.В. Свалов, Н.Н. Щеголева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 4. — С. 439-445. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В интервале температур 4,2–300 К исследованы магнитные свойства планарных наноструктур Co/Si с различными номинальными толщинами магнитных (2–42 нм) и немагнитных (0,3–10 нм) слоистых составляющих. Установлено, что в присутствии слоев Si происходит уменьшение спонтанной намагниченности Со, изменение ее температурной зависимости и модификация магнитного гистерезиса. Межслойное влияние интерпретировано как следствие диффу- зии Si в слои Со, которая приводит к образованию магнитонеоднородных приграничных интерфейсов с пониженной средней намагниченностью. Глубина интерфейсов зависит от номинальной толщины слоев Si и по оценкам может составлять до 1,6 нм. В модели гранулированной микроструктуры интерфейсов дано качественное объяснение особенностям намагничивания исследованных объектов под действием магнитного поля и температуры. Некоторые положения предложенной модели подтверждены результатами электронно-микроскопических наблюдений.