Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si
В интервале температур 4,2–300 К исследованы магнитные свойства планарных наноструктур Co/Si с различными номинальными толщинами магнитных (2–42 нм) и немагнитных (0,3–10 нм) слоистых составляющих. Установлено, что в присутствии слоев Si происходит уменьшение спонтанной намагниченности Со, изменен...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127750 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si / В.О. Васьковский, Г.С. Патрин, Д.А. Великанов, А.В. Свалов, Н.Н. Щеголева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 4. — С. 439-445. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |