Эффект де Гааза–ван Альфена в диборидах ScB₂, ZrB₂, and HfB₂

• Дата: 2007
• Автори: Плужников, В.Б., Свечкарев, И.В., Духненко, А.В., Левченко, А.В., Филиппов, В.Б., Чопник, А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электpонные свойства металлов и сплавов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127754
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Эффект де Гааза–ван Альфена в диборидах ScB2, ZrB2 и HfB2 / В.Б. Плужников, И.В. Свечкарев, А.В. Духненко, А.В. Левченко, В.Б. Филиппов, А. Чопник // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 4. — С. 473-478. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Выращены монокристаллы гексагональной структуры ScB₂, ZrB₂, and HfB₂ и исследованы свойства поверхностей Ферми этих соединений с помощью эффекта де Гааза—ван Альфена (дГвА). Измерены угловые зависимости частот дГвА осцилляций в плоскостях ( 1010), (1120 ), ( 0001) и значения их эффективных циклотронных масс. Частоты обнаруженных осцилляций находятся в интервале (0,96–28,8) 10² Тл, а измеренные циклотронные массы — в диапазоне (0,09–0,87) m₀. Для соединения ZrB₂ экспериментально получены значения константы электрон-фононного взаимодействия λ на различных сечениях его поверхности Ферми. Величина константы λ меняется от 0,05 до 0,16.