Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu)
Проведены расчеты из первых принципов электронной структуры и ряда термодинамических характеристик трехкомпонентных систем сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) в нормальной фазе. Выполнен анализ электронных состояний и взаимодействий, ответственных за сверхпроводящие и магнитные свойства исследуемых...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128446 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) / Г.Е. Гречнев, А.В. Логоша, А.С. Панфилов, И.П. Журавлева, А.А. Лёгенькая // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 1. — С. 35–41. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-128446 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1284462018-01-10T03:02:38Z Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) Гречнев, Г.Е. Логоша, А.В. Панфилов, А.С. Журавлева, И.П. Лёгенькая, А.А. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Проведены расчеты из первых принципов электронной структуры и ряда термодинамических характеристик трехкомпонентных систем сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) в нормальной фазе. Выполнен анализ электронных состояний и взаимодействий, ответственных за сверхпроводящие и магнитные свойства исследуемых систем. Установлено, что у соединений YRh₄B₄ и LuRh₄B₄ уровень Ферми находится в непосредственной близости от пика в плотности электронных состояний, и примерно на 1 эВ выше псевдощели в электронном спектре. Выявлено наличие ряда групп квазивырожденных электронных состояний с малой эффективной массой вблизи уровня Ферми. Эти состояния могут быть источником значительного диамагнитного вклада электронов проводимости в магнитную восприимчивость и обусловливать сильную зависимость восприимчивости от температуры в боридах родия. Проведено розрахунки з перших принципiв електронної структури та ряду термодинамiчних характеристик трьохкомпонентних систем надпровiдникiв RRh₄B₄ (R = Y, Lu) у нормальному стані. Виконано аналiз електронних станiв та взаємодiй, що вiдповiдають за надпровiднi та магнiтнi властивостi дослiджуваних систем. Встановлено, що у сполуках YRh₄B₄ та LuRh₄B₄ рівень Фермі знаходиться в безпосередній близкості від піку в густині електронних станів, та приблизно на 1 еВ вище псевдощілини в електронному спектрі. Виявлено наявність ряду груп квазівироджених електронних станів з малою ефективною масою поблизу рівня Фермі. Ці стани можуть бути джерелом значного діамагнітного внеску в магнітну сприйнятливість та обумовлювати сильну залежність сприйнятливості від температури в боридах родію. First-principles calculations of the electronic structure and a number of thermodynamical characteristics are performed for the ternary superconducting systems RRh₄B₄ (R = Y, Lu) in the normal state. The analysis of electronic states and their interactions responsible for superconducting and magnetic properties of the investigated systems is carried out. It is found that in YRh₄B₄ and LuRh₄B₄ compounds the Fermi level is situated in close proximity to a peak in the density of electronic states, and about 1 eV above of the pseudogap in the electronic spectrum. The existence of a number of groups of quasi-degenerate electronic states with a small effective mass near the Fermi level is revealed. These states can be the origin of a substantial conduction electrons diamagnetic contribution to the magnetic susceptibility, and can provide strong temperature dependences of the susceptibility in the rhodium borides. 2016 Article Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) / Г.Е. Гречнев, А.В. Логоша, А.С. Панфилов, И.П. Журавлева, А.А. Лёгенькая // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 1. — С. 35–41. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128446 PACS: 74.20.Pq, 74.70.Dd, 75.10.Lp ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| spellingShingle |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Гречнев, Г.Е. Логоша, А.В. Панфилов, А.С. Журавлева, И.П. Лёгенькая, А.А. Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) Физика низких температур |
| description |
Проведены расчеты из первых принципов электронной структуры и ряда термодинамических характеристик трехкомпонентных систем сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) в нормальной фазе. Выполнен анализ электронных состояний и взаимодействий, ответственных за сверхпроводящие и магнитные
свойства исследуемых систем. Установлено, что у соединений YRh₄B₄ и LuRh₄B₄ уровень Ферми находится в непосредственной близости от пика в плотности электронных состояний, и примерно на 1 эВ выше псевдощели в электронном спектре. Выявлено наличие ряда групп квазивырожденных электронных состояний с малой эффективной массой вблизи уровня Ферми. Эти состояния могут быть источником
значительного диамагнитного вклада электронов проводимости в магнитную восприимчивость и обусловливать сильную зависимость восприимчивости от температуры в боридах родия. |
| format |
Article |
| author |
Гречнев, Г.Е. Логоша, А.В. Панфилов, А.С. Журавлева, И.П. Лёгенькая, А.А. |
| author_facet |
Гречнев, Г.Е. Логоша, А.В. Панфилов, А.С. Журавлева, И.П. Лёгенькая, А.А. |
| author_sort |
Гречнев, Г.Е. |
| title |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) |
| title_short |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) |
| title_full |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) |
| title_fullStr |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) |
| title_full_unstemmed |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) |
| title_sort |
особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников rrh₄b₄ (r = y, lu) |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128446 |
| citation_txt |
Особенности электронной структуры трехкомпонентных сверхпроводников RRh₄B₄ (R = Y, Lu) / Г.Е. Гречнев, А.В. Логоша, А.С. Панфилов, И.П. Журавлева, А.А. Лёгенькая // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 1. — С. 35–41. — Бібліогр.: 31 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT grečnevge osobennostiélektronnojstrukturytrehkomponentnyhsverhprovodnikovrrh4b4rylu AT logošaav osobennostiélektronnojstrukturytrehkomponentnyhsverhprovodnikovrrh4b4rylu AT panfilovas osobennostiélektronnojstrukturytrehkomponentnyhsverhprovodnikovrrh4b4rylu AT žuravlevaip osobennostiélektronnojstrukturytrehkomponentnyhsverhprovodnikovrrh4b4rylu AT lëgenʹkaâaa osobennostiélektronnojstrukturytrehkomponentnyhsverhprovodnikovrrh4b4rylu |
| first_indexed |
2023-10-18T20:55:19Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:55:19Z |
| _version_ |
1796151457908523008 |