Теплопроводность твердого тиофена в несоразмерном ориентационном состоянии

• Дата: 2016
• Автори: Королюк, О.А., Кривчиков, А.И., Вдовиченко, Г.А., Романцова, О.О., Горбатенко, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Физические свойства криокристаллов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128454
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Теплопроводность твердого тиофена в несоразмерном ориентационном состоянии / O.A. Королюк, A.И. Кривчиков, Г.А. Вдовиченко, О.О. Романцова, Ю.В. Горбатенко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 1. — С. 89–96. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Измерена теплопроводность твердого тиофена при равновесной упругости пара при 2 К < T < 170 К в последовательности несоразмерных метастабильных ориентационно разупорядоченных фаз II, II₁, II₂ и II₂g с различной степенью ориентационного упорядочения молекул. Установлено, что в фазовых состояниях II, II₁ и II₂ с динамическим ориентационным беспорядком молекул теплопроводность не зависит от температуры. Показано, что температурная зависимость теплопроводности κ(T) ориентационных стекол Vg и II₂g (несоразмерного) не проявляет аномалий, характерных для аморфных веществ и стекол. В состоянии несоразмерного ориентационного стекла II₂g температурная зависимость теплопроводности имеет вид колокола, типичного для теплопроводности кристаллов с дальним ориентационным порядком. В состоянии II₂g с понижением температуры от Tg почти до 10 К теплопроводность растет по закону κ(T) = А/Т + В, где первое слагаемое описывает вклад распространяющихся фононов, средняя длина свободного пробега которых больше, чем половина длины волны фонона. Слагаемое В связано с вкладом локализованных коротковолновых, или «диффузных», колебательных мод. При низких температурах Т ≤ 7 К с ростом температуры наблюдается рост κ(T) α Т³, который соответствует механизму граничного рассеяния фононов.