2025-02-23T12:56:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-128462%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:56:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-128462%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:56:35-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:56:35-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных н...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Беркутов, И.Б., Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Колесниченко, Ю.А., Беркутова, А.И., Ледли, Д.Р., Миронов, О.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128462
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния и времени неупругого рассеяния, что свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). В более сильных магнитных полях в случае заселения одного квантового уровня проявляются эффекты взаимодействия, обусловленные кулоновским взаимодействием с рассеивателем. В случае заселения двух квантовых уровней доминирующим оказывается механизм рассеяния на фриделевских осцилляциях плотности носителей заряда, обусловленных электрическим полем примеси. Во всех областях поведение квантовых поправок хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.