Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины

Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных н...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Беркутов, И.Б., Андриевский, В.В., Комник, Ю.Ф., Колесниченко, Ю.А., Беркутова, А.И., Ледли, Д.Р., Миронов, О.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128462
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины / И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, Ю.А. Колесниченко, А.И. Беркутова, Д.Р. Ледли, О.А. Миронов // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 2. — С. 149–158. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-128462
record_format dspace
spelling irk-123456789-1284622018-01-10T03:03:08Z Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины Беркутов, И.Б. Андриевский, В.В. Комник, Ю.Ф. Колесниченко, Ю.А. Беркутова, А.И. Ледли, Д.Р. Миронов, О.А. Пористые и низкоразмерные структуры Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния и времени неупругого рассеяния, что свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). В более сильных магнитных полях в случае заселения одного квантового уровня проявляются эффекты взаимодействия, обусловленные кулоновским взаимодействием с рассеивателем. В случае заселения двух квантовых уровней доминирующим оказывается механизм рассеяния на фриделевских осцилляциях плотности носителей заряда, обусловленных электрическим полем примеси. Во всех областях поведение квантовых поправок хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям. Вивчено ефекти слабкої локалізації та взаємодії носіїв заряду в двох діркових гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в яких заселеними є відповідно один або два квантових рівня. У слабких магнітних полях виявлено прояви ефекту слабкої локалізації двовимірних носіїв заряду в умовах близькості часу спін-орбітальної розсіювання та часу непружного розсіювання, що свідчить про розщеплення спінових станів під впливом збуджуючого потенціалу, який пов'язаний з формуванням двовимірної потенційної ями (механізм Рашба). У більш сильних магнітних полях у разі заселення одного квантового рівня проявляються ефекти взаємодії, обумовлені кулонівською взаємодією з розсіювачем. У разі заселення двох квантових рівнів домінуючим виявляється механізм розсіювання на фріделівських осциляціях щільності носіїв заряду, які обумовлені електричним полем домішки. У всіх областях поведінка квантових поправок добре відповідає сучасним теоретичним передбаченням. The effects of weak localization and interaction of charge carriers in a two p-type Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃ heterostructures with one and two subbands, respectively, occupy have been investigated. The weak localization effect of holes in conditions when the inelastic scattering time and spin orbit scattering time have close values was found in very weak magnetic fields. It is shown that splitting of the spin states occurs due to the influence of the perturbing potential (Rashba mechanism). The interaction effect which occurs due to Coulomb interaction with a scatter has been detected and analyzed in higher magnetic fields in case of one subband occupy. The dominant mechanism of scattering by Friedel oscillations of the charge carrier density, induced by the electric field of the impurity, is a dominant in the case of two subband occupy. In all regions the behavior of the interaction quantum correction is in good agreement with the modern theoretical predictions 2016 Article Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины / И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, Ю.А. Колесниченко, А.И. Беркутова, Д.Р. Ледли, О.А. Миронов // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 2. — С. 149–158. — Бібліогр.: 37 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 73.20.Fz http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128462 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Пористые и низкоразмерные структуры
Пористые и низкоразмерные структуры
spellingShingle Пористые и низкоразмерные структуры
Пористые и низкоразмерные структуры
Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Колесниченко, Ю.А.
Беркутова, А.И.
Ледли, Д.Р.
Миронов, О.А.
Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
Физика низких температур
description Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si₀,₇Ge₀,₃/Si₀,₂Ge₀,₈/Si₀,₇Ge₀,₃, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния и времени неупругого рассеяния, что свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). В более сильных магнитных полях в случае заселения одного квантового уровня проявляются эффекты взаимодействия, обусловленные кулоновским взаимодействием с рассеивателем. В случае заселения двух квантовых уровней доминирующим оказывается механизм рассеяния на фриделевских осцилляциях плотности носителей заряда, обусловленных электрическим полем примеси. Во всех областях поведение квантовых поправок хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.
format Article
author Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Колесниченко, Ю.А.
Беркутова, А.И.
Ледли, Д.Р.
Миронов, О.А.
author_facet Беркутов, И.Б.
Андриевский, В.В.
Комник, Ю.Ф.
Колесниченко, Ю.А.
Беркутова, А.И.
Ледли, Д.Р.
Миронов, О.А.
author_sort Беркутов, И.Б.
title Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
title_short Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
title_full Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
title_fullStr Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
title_full_unstemmed Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
title_sort интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2016
topic_facet Пористые и низкоразмерные структуры
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128462
citation_txt Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины / И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, Ю.Ф. Комник, Ю.А. Колесниченко, А.И. Беркутова, Д.Р. Ледли, О.А. Миронов // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 2. — С. 149–158. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT berkutovib interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT andrievskijvv interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT komnikûf interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT kolesničenkoûa interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT berkutovaai interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT ledlidr interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
AT mironovoa interferencionnyeéffektyvkremnijgermanievyhgeterostrukturahskvantovymiâmamirazličnojširiny
first_indexed 2023-10-18T20:55:22Z
last_indexed 2023-10-18T20:55:22Z
_version_ 1796151459612459008