Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле
Рассмотрена задача о поверхностном СВЧ импедансе сверхпроводящей пленки в параллельном ее поверхности постоянном магнитном поле H. В пленках толщиной d < λ (λ - лондоновская глубина проникновения) смешанное состояние при параллельной ориентации внешнего поля представляет собой набор вихревых рядо...
Збережено в:
Дата: | 2001 |
---|---|
Автори: | Лужбин, Д. А., Касаткин, А. Л., Пан, В. М. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128470 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Поверхностный импеданс тонкой сверхпроводящей пленки в параллельном магнитном поле / Д.А. Лужбин, А.Л. Касаткин, В.М. Пан // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 455-462. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Влияние сильного поверхностного пиннинга на поверхностный импеданс свеpхпpоводника в смешанном состоянии
за авторством: Лужбин, Д.А.
Опубліковано: (2001) -
Микроволновый импеданс пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃O₇-d в магнитном поле
за авторством: Пан, В.М., та інші
Опубліковано: (2005) -
Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2009) -
Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки
за авторством: Дмитриев, В.М., та інші
Опубліковано: (2009) -
Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле
за авторством: Пальти, А.М., та інші
Опубліковано: (1998)