Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs

• Дата: 2001
• Автор: Филь, Д.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128594
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации.