Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs

Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зави...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2001
Автор:	Филь, Д.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128594
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-128594
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1285942018-01-13T03:03:05Z Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs Филь, Д.В. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации. A mechanism for orientation of bilayer classical Wigner crystals in a piezoelectric medium is considered. For the GaAs system the piezoelectric correction to the electrostatic interaction between electrons is calculated. It is shown that taking into account the correction due to the piezoelectric effect leads to a dependence of the total energy of the electron crystal on its orientation with respect to the crystallographic axes of the surrounding matrix. A generalization of Ewald’s method is obtained for calculating the anisotropic interaction between electrons in a Wigner crystal. The method is used to calculate the energy of bilayer Wigner crystals in electron layers parallel to the crystallographic planes (001), (0–11), and (111) as a function of their orientation and the distance between layers, and the energetically most favorable orientation for all types of electron lattices in a bilayer system is found. It is shown that phase transitions between structures with different lattice symmetry in a Wigner crystal can be accompanied by a change of its orientation. 2001 Article Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Dx, 77.65.-j http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128594 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы
spellingShingle	Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы Филь, Д.В. Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs Физика низких температур
description	Рассмотрен механизм ориентации двухслойных классических вигнеровских кристаллов в пьезоэлектрической среде. Для системы GaAs рассчитана поправка к электростатическому взаимодействию между электронами, определяемая пьезоэлектрическим эффектом. Показано, что учет такой поправки приводит к зависимости полной энергии электронного кристалла от его ориентации относительно кристаллографических осей матрицы окружения. Получено обобщение метода Эвальда для расчета анизотропного взаимодействия между электронами в вигнеровском кристалле. С использованием этого метода рассчитана энергия двухслойных вигнеровских кристаллов в электронных слоях, параллельных кристаллографическим плоскостям (001), (0-11), (111), в зависимости от их ориентации и расстояния между слоями и найдена наиболее энергетически выгодная ориентация для всех типов электронных решеток в двухслойной системе. Показано, что в двухслойном вигнеровском кристалле фазовые переходы между структурами с различной симметрией решетки могут сопровождаться изменением его ориентации.
format	Article
author	Филь, Д.В.
author_facet	Филь, Д.В.
author_sort	Филь, Д.В.
title	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_short	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_full	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_fullStr	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_full_unstemmed	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
title_sort	пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице gaas
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2001
topic_facet	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128594
citation_txt	Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 5. — С. 519-522. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT filʹdv pʹezoélektričeskijmehanizmorientaciidvuhslojnogovignerovskogokristallavmatricegaas
first_indexed	2023-10-18T20:55:39Z
last_indexed	2023-10-18T20:55:39Z
_version_	1796151472227876864

Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs

Репозитарії

Схожі ресурси