Рассеяние фононов структурными дефектами в твердом p-H₂ и растворах p-H₂-o-D₂

• Дата: 2001
• Автори: Королюк, О.А., Городилов, Б.Я., Кривчиков, А.И., Раенко, А.В., Ежовски, А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Физические свойства криокристаллов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128686
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Рассеяние фононов структурными дефектами в твердом p-H₂ и растворах p-H₂-o-D₂ / О.А. Королюк, Б.Я. Городилов, А.И. Кривчиков, А.В. Раенко, А. Ежовски // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 6. — С. 683-689. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Проведены исследования влияния стpуктуpных дефектов на теплопроводность в кpисталлах параводорода и растворах параводород-ортодейтерий. Дефекты в исследованных кpисталлах генерировались посредством термоудара. Температурные зависимости теплопроводности проанализированы в рамках релаксационной модели Каллауэя в дебаевском приближении для фононного спектра с учетом фонон-фононных процессов рассеяния, рэлеевского рассеяния на изотопических дефектах и стpуктуpных дефектах типа дислокаций и малоугловых границ. Обнаружена зависимость pезультата воздействия термоудара на образец от концентрации дейтерия. В чистом параводороде наблюдается увеличение плотности дислокаций, в растворах параводород-ортодейтерий - увеличение плотности малоугловых границ. Изменение плотности малоугловых границ в растворах после воздействия термоудара линейно зависит от концентрации o-D₂.