Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ

• Дата: 2001
• Автори: Кучеренко, С.С., Пащенко, В.П., Поляков, П.И., Штаба, В.А., Шемяков, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128693
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние давления, темпеpатуpы и магнитного поля на сопротивление и магниторeзистивный эффект манганит-лантановой керамики и пленки La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ / С.С. Кучеренко, В.П. Пащенко, П.И. Поляков, В.А. Штаба, А.А. Шемяков // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 7. — С. 761-766. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

В широком температурном интервале T=77-350 К исследовали влияние напряженности магнитного поля H=0-8 кЭ и высоких гидростатических давлений P=0-2,2 ГПа на удельное сопротивление r, магниторезистивный эффект (МРЭ) ΔR/R₀, температуру фазового перехода металл-полупроводник Tms и пика МРЭ Tp керамической мишени и лазерной пленки одинакового катионного состава La₀,₇Mn₁,₃O₃±δ. Рост Н и Р приводит к уменьшению сопротивления. Обнаруженное различие r, Tms и Tp керамики и пленки объяснено различной их кислородной нестехиометрией. Увеличение Н приводит к увеличению, а Р - к уменьшению МРЭ. С увеличением Р увеличиваются Tms и Tp керамики и пленки, причем более существенно пленки. Два фазовых перехода (основной с Tms = 250 К и дополнительный с T'ms=210 K), наблюдаемые в керамике, объяснены ее мезоскопической неоднородностью кластерного типа.