Ключевая роль внутримолекулярных ян-теллеровских колебаний и многодолинности зонного спектра в механизме сверхпроводимости допированных фуллеритов C₆₀
Проанализированы возможные механизмы возникновения сверхпроводимости и повышения критической температуры Tc фазового перехода в сверхпроводящее состояние допированных кубических и гексагональных кристаллов фуллерена C₆₀. Показано, что ключевую роль в механизме сверхпроводимости в таком молекулярном...
Збережено в:
Дата: | 2002 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128712 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Ключевая роль внутримолекулярных ян-теллеровских колебаний и многодолинности зонного спектра в механизме сверхпроводимости допированных фуллеритов C₆₀ / В.М. Локтев, Э.А. Пашицкий, Р. Шехтер, М. Йонсон // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 11. — С. 1150-1162. — Бібліогр.: 75 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проанализированы возможные механизмы возникновения сверхпроводимости и повышения критической температуры Tc фазового перехода в сверхпроводящее состояние допированных кубических и гексагональных кристаллов фуллерена C₆₀. Показано, что ключевую роль в механизме сверхпроводимости в таком молекулярном металле играют обусловленные высокой симметрией молекул C₆₀ и кристаллов фуллерена внутримолекулярные ян-теллеровские колебания, возникающие вследствие изменения зарядового состояния фуллерена в процессе электрон-фононного взаимодействия, и эффекты вырождения (многодолинности) в структуре узких зон с высокой плотностью состояний, а также многочастичные кулоновские корреляции типа эффектов локального поля, которые способствуют увеличению константы связи при куперовском спаривании носителей тока. |
---|