Захват магнитного потока и замороженное магнитосопротивление в Bi-ВТСП пленках
Проведены холловские и магниторезистивные исследования захваченных магнитных полей (ЗМП) в полученных магнетронным распылением Bi-ВТСП пленках. Показано, что ЗМП являются знакопеременными в плоскости пленки с характерным масштабом, меньшим 50 мкм. Изучены температурные зависимости замороженного магн...
Збережено в:
Дата: | 2001 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2001
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128806 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Захват магнитного потока и замороженное магнитосопротивление в Bi-ВТСП пленках / А.А. Суханов, В.И. Омельченко // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 8. — С. 826-830. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проведены холловские и магниторезистивные исследования захваченных магнитных полей (ЗМП) в полученных магнетронным распылением Bi-ВТСП пленках. Показано, что ЗМП являются знакопеременными в плоскости пленки с характерным масштабом, меньшим 50 мкм. Изучены температурные зависимости замороженного магнитосопротивления (ЗМС) и ЗМП. Обнаружено, что при нагреве пленок захваченные магнитные поля и ЗМС уменьшаются до нуля при температуре, существенно меньшей температуры исчезновения магнитосопротивления, и для захвата после охлаждения в нулевом поле на зависимости величины ЗМП от температуры захвата наблюдается максимум. Проведено обсуждение и сопоставление экспериментальных данных с результатами расчетов в рамках модели сверхпроводящих контуров, что позволило определить вид и параметры функции распределения контуров по критическим полям и температурные зависимости критических полей. |
---|