Движение пробной наночастицы в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной

• Дата: 2003
• Автори: Левченко, А.А., Межов-Деглин, Л.П., Трусов, А.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128842
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Движение пробной наночастицы в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной / А.А. Левченко, Л.П. Межов-Деглин, А.Б. Трусов // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 501-507. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Температурная зависимость коэффициента диффузии пробной частицы Dp(T) диаметром dp несколько нанометров, которая перемещается в квантовом кристалле с узкой вакансионной зоной Qv << Tmelt за счет взаимодействия с тепловыми вакансиями, существенно изменяется с понижением температуры в области Tmelt≥Ttr≥Qv, где происходит переход от классического термоактивированного перескока вакансий к зонному движению делокализованных вакансионов. Более того, в переходной области T≈Ttr коэффициент диффузии пробной частицы в вязком газе вакансионов может возрастать, если эффективная длина свободного пробега вакансионов мала по сравнению с диаметром частицы lv << dp и увеличивается с понижением температуры быстрее, чем уменьшается концентрация тепловых вакансийx xv~exp(-Ev/T). При T << Ttr в разреженном газе вакансионов, где lv >> dp, коэффициент диффузии частицы Dp(T)~xvSvp убывает пропорционально xv, если сечение неупругого рассеяния вакансиона на пробной частице Svp слабо зависит от температуры. Развитая модель может быть применена для описания диффузии положительных зарядов в кристаллах ГПУ ⁴Не, выращенных при давлениях выше минимального давления затвердевания гелия, и отрицательных зарядов в кристаллах параводорода.