О фазовой диаграмме развития неустойчивости массивной заряженной поверхности жидкого гелия
Существующая трактовка развития неустойчивости массивной заряженной поверхности гелия нуждается в определенной коррекции, сближающей данное явление с известными процессами спинодального и бинодального распадов в теории фазовых превращений первого рода. Обсуждаются особенности развития неустойчивости...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128844 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | О фазовой диаграмме развития неустойчивости массивной заряженной поверхности жидкого гелия / В. Шикин // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 514-518. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Существующая трактовка развития неустойчивости массивной заряженной поверхности гелия нуждается в определенной коррекции, сближающей данное явление с известными процессами спинодального и бинодального распадов в теории фазовых превращений первого рода. Обсуждаются особенности развития неустойчивости заряженной поверхности гелия, обладающие признаками спинодального (бинодального) распадов, и построена качественная фазовая диаграмма для таких переходов на плоскости с координатами поверхностная плотность электронов -электрическое поле над заряженной 2D электронами плоскостью. |
|---|