Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналоги...
Збережено в:
Дата: | 2003 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2003
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128847 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe₂⁺* и примесных центров Хе₂О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ. |
---|