Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналоги...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Белов, А.Г., Тарасова, Е.И., Юртаева, Е.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Физические свойства криокристаллов
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128847
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-128847
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1288472018-01-15T03:03:56Z Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона Белов, А.Г. Тарасова, Е.И. Юртаева, Е.М. Физические свойства криокристаллов Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe₂⁺* и примесных центров Хе₂О, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ. A detailed experimental investigation of the basic characteristics of the radiation of crystalline xenon with Emax = 2 eV (A band) is performed as a function of temperature, impurity concentration, lattice perfection, and irradiation dose. The radiation parameters of this band are compared with the same parameters of the radiation of free excitons, localized holes Xe₂⁺ , and impurity centers Xe 2 O * , whose bands were recorded in parallel. The photoexcitation spectra of the A band and the time decay curves of luminescence are analyzed. Radiation with similar structure with E max =2.05 eV is also found in the binary crystals Ar+Xe with high (∼10%) xenon concentrations. It is concluded that the observed radiation is due to intrinsic molecular-type excited states of localized in the interior volume of the crystal and lyingnear 10 eV in the conduction band. Проведено комплексне експериментальне дослідження основних характеристик випромінювання кристалічного ксенону з Emax = 2 еB (смуга А) у залежності від температури, концентрації домішок, досконалості структури ґратки і дози опромінення. Проведено порівняння параметрів цієї смуги з аналогічними параметрами випромінювання вільних eкситонiв, локалізованих дірок Xe₂⁺* і домішкових центрів Хе₂О*, смуги яких реєструвалися паралельно. Проаналізовано спектри фотозбудження смуги А і криві загасання люмінесценції в часі. Випромінювання з аналогічною структурою з Emax = 2,05 еВ виявлено також у бінарних кристалах Ar+Xe при високих (~10%) концентраціях ксенону. Зроблено висновок, що випромінювання, що спостерігається, обумовлено власними збудженими станами молекулярного типу, локалізованими в об ємі кристала і розташованими в зоні провідності в області енергій близько до 10 еВ. 2003 Article Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 78.55.Hx, 78.60.Hk, 71.35.Cc http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128847 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физические свойства криокристаллов Физические свойства криокристаллов
spellingShingle	Физические свойства криокристаллов Физические свойства криокристаллов Белов, А.Г. Тарасова, Е.И. Юртаева, Е.М. Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона Физика низких температур
description	Проведено комплексное экспериментальное исследование основных характеристик излучения кристаллического ксенона с Emax = 2 эВ (полоса А) в зависимости от температуры, концентрации примесей, совершенства структуры решетки и дозы облучения. Проведено сравнение параметров излучения этой полосы с аналогичными параметрами излучения свободных экситонов, локализованных дырок Xe₂⁺* и примесных центров Хе₂О*, полосы которых регистрировались параллельно. Проанализированы спектры фотовозбуждения полосы А и кривые затухания люминесценции во времени. Излучение с аналогичной структурой с Emax = 2,05 эВ обнаружено также в бинарных кристаллах Ar+Xe при высоких (~10%) концентрациях ксенона. Cделан вывод, что наблюдаемое излучение обусловлено собственными возбужденными состояниями молекулярного типа, локализованными в объеме кристалла и расположенными в зоне проводимости в области энергий вблизи 10 эВ.
format	Article
author	Белов, А.Г. Тарасова, Е.И. Юртаева, Е.М.
author_facet	Белов, А.Г. Тарасова, Е.И. Юртаева, Е.М.
author_sort	Белов, А.Г.
title	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_short	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_full	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_fullStr	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_full_unstemmed	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
title_sort	локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2003
topic_facet	Физические свойства криокристаллов
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128847
citation_txt	Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона / А.Г. Белов, Е.И. Тарасова, Е.М. Юртаева // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 5. — С. 539-555. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT belovag lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona AT tarasovaei lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona AT ûrtaevaem lokalʹnyevozbuždeniâvzoneprovodimostikristalličeskogoksenona
first_indexed	2023-10-18T20:56:16Z
last_indexed	2023-10-18T20:56:16Z
_version_	1796151499300012032

Локальные возбуждения в зоне проводимости кристаллического ксенона

Репозитарії

Схожі ресурси