Особенности угловой зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных плeнках ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋δ в магнитном поле

• Дата: 2003
• Автори: Федотов, Ю.В., Пашицкий, Э.А., Рябченко, С.М., Комашко, В.А., Пан, В.М., Флис, В.С., Черпак, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2003
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/128895
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности угловой зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных плeнках ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋δ в магнитном поле / Ю.В. Федотов , Э.А. Пашицкий, С.М. Рябченко, В.А. Комашко, В.М. Пан, В.С. Флис, Ю.В. Черпак // Физика низких температур. — 2003. — Т. 29, № 8. — С. 842-857. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Исследованы зависимости плотности критического тока jc от величины и направления магнитного поля H в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O₇₋δ с высокой jc в отсутствие поля (~ 10⁶ А/см² при 77 К) и с толщиной d, меньшей удвоенной глубины проникновения магнитного поля l. Установлено, что зависимости jc(H) имеют низкополевые плато как при перпендикулярном, так и при параллельном пленке поле. В магнитном поле, перпендикулярном пленке, плато "эффективного пиннинга" простирается до поля, соответствующего достижению плотности "прошивающих" пленку вихрей Абрикосова, при которой им уже не выгодно быть всем запиннингованными на краевых дислокациях в межблочных границах, и часть вихрей становится непиннингованной. В отличие от этого в поле, параллельном пленке, окончание плато не связано с депиннингом проникших в нее параллельных пленке вихрей, а уменьшение jc(H) за пределами плато определяется ослаблением пиннинга перпендикулярных пленке вихрей в параллельном ей магнитном поле. Низкополевое плато на зависимости jc(H) для поля, лежащего в плоскости пленки, оказывается шире, чем плато при нормальном намагничивании. Поэтому зависимость jc от угла между H и нормалью к пленке имеет один максимум при поле, лежащем в плоскости пленки. В пленках, полученных лазерным либо электронно-лучевым испарением YBa₂Cu₃O₇₋δ или компонентов этого состава, измерения jc на которых велись индукционным методом, уменьшение jc при увеличении поля в плоскости пленки начинается раньше первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки. А на магнетронно-осажденной пленке, где jc измерялся транспортным методом, это уменьшение jc начинается в поле много большем указанного критического поля. Обсуждены возможные соотношения между параметрами зависимости jc(H) и первого критического поля для проникновения вихрей в плоскость пленки, в том числе и те, которые приводят к различным угловым зависимостям критического тока.