Соизмеримые вихревые решетки в тонких пленках V и сверхпроводящих сверхрешетках V/Si

• Дата: 2001
• Автори: Фогель, Н.Я., Бухштаб, Е.И., Черкасова, В.Г., Юзефович, О.И., Михайлов, М.Ю., Стеценко, А.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129003
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Соизмеримые вихревые решетки в тонких пленках V и сверхпроводящих сверхрешетках V/Si / Н.Я. Фогель, Е.И. Бухштаб, В.Г. Черкасова, О.И. Юзефович, М.Ю. Михайлов, А.Н. Стеценко // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1019-1030. — Бібліогр.: 39 назв. — рос.

Исследованы особенности шубниковской фазы в тонких пленках сверхпроводников II рода в случае, когда магнитное поле параллельно поверхности пленки. Измерения немонотонных зависимостей критического тока Ic от магнитного поля H|| позволяют выявить соизмеримые вихревые решетки с разным количеством вихревых цепочек в пленке. Установлено, что на однородных пленках наблюдение эффекта соизмеримости параметра вихревой решетки с толщиной пленки возможно только при идеальном состоянии границ пленки, допускающем образование бесконечной решетки вихрей и их изображений. Нарушение гладкости и плоскопараллельности двух поверхностей пленки приводит к исчезновению осцилляций Ic и резкому уменьшению критического тока. На пленках впервые обнаружен lock-in переход, обусловленный влиянием поверхностного барьера. Установлено, что в тонкопленочных слоистых образцах одновременно проявляется эффект соизмеримости параметра вихревой решетки с периодом сверхструктуры и с полной толщиной образца. Рассмотрена фазовая диаграмма Н-Т однородной пленки в параллельном магнитном поле.