Экситонная люминесценция при дрейфе избыточных электронов через жидкие и твердые инертные газы

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2001
• Автори: Гордон, Е.Б., Шестаков, А.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Статьи, посвященные столетию со дня рождения Л. В. Шубникова
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129023
• Цитувати: кситонная люминесценция при дрейфе избыточных электронов через жидкие и твердые инертные газы / Е.Б. Гордон, А.Ф. Шестаков // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 9-10. — С. 1192-1201. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Показано, что возбуждение электpонных состояний является источником основных энергетических потерь избыточных электpонов при их дрейфе в умеренных (≥10³ В/см) электpических полях через конденсированные тяжелые благородные газы (Rg). Эти потери, наряду с рассеянием на резонансах метастабильных отрицательных ионов (Rg*)¯, определяют зависимость средней энергии электpонов и их дрейфовой скорости vd от напряженности поля Е как в конденсированных Rg, так и в плотных газах. В частности, объяснен факт постоянства vd при больших Е и трансформация спектра электролюминесценции при изменении плотности тяжелых частиц и их темпеpатуpы. Таким образом, предсказана возможность эффективного возбуждения локализованных экситонов в объеме кpисталлических и жидких Xe, Kr и Ar с выходом около 10² экситонов (и квантов УФ излучения) на один электpон.