Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2000
• Автор: Палистрант, М.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129080
• Цитувати: Температура сверхпроводящего перехода и коэффициент изотопического эффекта в сверхпроводниках с малыми значениями энергии Ферми / М.Е. Палистрант // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 557-566. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Исследована сверхпроводимость в системах с переменной плотностью носителей заряда, сильными электронными корреляциями (путем учета влияния этих корреляций на электрон-фононное взаимодействие) и малыми энергиями Ферми. Последнее обстоятельство приводит к нарушению теоремы Мигдала и к необходимости учета вершинных и пересекающихся диаграмм по электрон-фононному взаимодействию (Pv , Pc ). Рассмотрена двумерная и трехмерная системы. Найдены величины Pv и Pc и уравнение для импульса обрезания электрон-фононного взаимодействия Qc . Показана зависимость этой величины от концентрации носителей заряда. Получены выражения для температуры сверхпроводящего перехода Tc и коэффициента изотопического эффекта a и проанализировано их поведение как функций концентрации носителей заряда. Определены значения плотностей носителей заряда, при которых возможна сверхпроводимость в двумерной и трехмерной системах.