Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2000
• Автори: Гончарук, Н.А., Тарасова, Е.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Физические свойства криокристаллов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129087
• Цитувати: Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов / Н.А. Гончарук, Е.И. Тарасова // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 605-614. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокристаллах Ar, Kr, Xe. Представлены результаты численного расчета кривых энергетической зависимости затухания Г(E,T=const ) пpи нескольких температурах во всей области существования свободных экситонов каждого кристалла. Получены аналитические выражения для Г(Е,Т) при T=0 и при T > 2ℏks. Сравнение с данными численного pасчета приводит к выводу о спpаведливости линейной температурной зависимости Г(E = const,T) в широком диапазоне температур, за исключением очень низких. Показано, что при температуре выше критической существует область энергий в окрестности ET , в котоpой преобладают процессы с поглощением фононов, препятствующие релаксации поляритонов вниз по дисперсионной кривой. Ширина этого участка сравнима с максимальной энергией фононов и увеличивается с pостом температуры.