Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов

Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов

Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокрист...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Гончарук, Н.А., Тарасова, Е.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Физические свойства криокристаллов
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129087
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов / Н.А. Гончарук, Е.И. Тарасова // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 605-614. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-129087
record_format dspace
spelling irk-123456789-1290872018-01-17T03:02:53Z Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов Гончарук, Н.А. Тарасова, Е.И. Физические свойства криокристаллов Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокристаллах Ar, Kr, Xe. Представлены результаты численного расчета кривых энергетической зависимости затухания Г(E,T=const ) пpи нескольких температурах во всей области существования свободных экситонов каждого кристалла. Получены аналитические выражения для Г(Е,Т) при T=0 и при T > 2ℏks. Сравнение с данными численного pасчета приводит к выводу о спpаведливости линейной температурной зависимости Г(E = const,T) в широком диапазоне температур, за исключением очень низких. Показано, что при температуре выше критической существует область энергий в окрестности ET , в котоpой преобладают процессы с поглощением фононов, препятствующие релаксации поляритонов вниз по дисперсионной кривой. Ширина этого участка сравнима с максимальной энергией фононов и увеличивается с pостом температуры. The single-phonon damping of polaritons governs the most important characteristics of the relaxation processes of excitations in the region of the resonance energy ET. Here the single-phonon damping of polaritons by acoustical phonons is calculated in the deformation-potential approximation for the lowest excitons Γ(3/2) in Ar, Kr, and Xe cryocrystals. The results of a numerical calculation of the curves of the energy dependence of the damping Γ(E,T=const) at several temperatures spanning the free exciton existence region for each crystal are presented. Analytical expressions are obtained for Γ(E,T) at T=0 and T>2ℏks. A comparison with the data from the numerical calculation indicates that a linear temperature dependence Γ(E=const,T) holds over a wide temperature range, except at very low temperatures. It is shown that at temperatures above the critical point there exists a region of energies in the neighborhood of ET in which processes involving the absorption of phonons are dominant and prevent the relaxation of the polaritons down the dispersion curve. The width of this region is comparable to the maximum phonon energy and increases with increasing temperature. 2000 Article Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов / Н.А. Гончарук, Е.И. Тарасова // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 605-614. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.35.Aa, 71.35.Cc http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129087 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физические свойства криокристаллов
Физические свойства криокристаллов
spellingShingle Физические свойства криокристаллов
Физические свойства криокристаллов
Гончарук, Н.А.
Тарасова, Е.И.
Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
Физика низких температур
description Однофононное затухание поляритонов определяет важнейшие характеристики релаксационных процессов возбуждений в области резонансной энергии ET. В приближении деформационного потенциала проведен расчет однофононного затухания поляритонов на акустических фононах для нижайших экситонов Г(3/2) в криокристаллах Ar, Kr, Xe. Представлены результаты численного расчета кривых энергетической зависимости затухания Г(E,T=const ) пpи нескольких температурах во всей области существования свободных экситонов каждого кристалла. Получены аналитические выражения для Г(Е,Т) при T=0 и при T > 2ℏks. Сравнение с данными численного pасчета приводит к выводу о спpаведливости линейной температурной зависимости Г(E = const,T) в широком диапазоне температур, за исключением очень низких. Показано, что при температуре выше критической существует область энергий в окрестности ET , в котоpой преобладают процессы с поглощением фононов, препятствующие релаксации поляритонов вниз по дисперсионной кривой. Ширина этого участка сравнима с максимальной энергией фононов и увеличивается с pостом температуры.
format Article
author Гончарук, Н.А.
Тарасова, Е.И.
author_facet Гончарук, Н.А.
Тарасова, Е.И.
author_sort Гончарук, Н.А.
title Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
title_short Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
title_full Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
title_fullStr Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
title_full_unstemmed Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
title_sort однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2000
topic_facet Физические свойства криокристаллов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129087
citation_txt Однофононное затухание поляритонов в криокристаллах инертных элементов / Н.А. Гончарук, Е.И. Тарасова // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 6. — С. 605-614. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT gončarukna odnofononnoezatuhaniepolâritonovvkriokristallahinertnyhélementov
AT tarasovaei odnofononnoezatuhaniepolâritonovvkriokristallahinertnyhélementov
first_indexed 2023-10-18T20:56:51Z
last_indexed 2023-10-18T20:56:51Z
_version_ 1796151523093250048

Схожі ресурси