Магнитный экситон в двухслойной системе

Рассмотpено связанное состояние легкого электрона с массой me и тяжелой дырки с массой mh (mh>>me ) в двухслойной системе в магнитном поле. Поле считается сильным только для электрона (aBe >> l₀ , где aBe= ·²/(mee²) - боровский радиус, а l₀=√ cℏ/(eB) - магнитная длина). Предложен новый м...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2000
Автори: Вол, Е.Д., Шевченко, С.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129169
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Магнитный экситон в двухслойной системе / Е.Д. Вол, С.И. Шевченко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 787-791. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Рассмотpено связанное состояние легкого электрона с массой me и тяжелой дырки с массой mh (mh>>me ) в двухслойной системе в магнитном поле. Поле считается сильным только для электрона (aBe >> l₀ , где aBe= ·²/(mee²) - боровский радиус, а l₀=√ cℏ/(eB) - магнитная длина). Предложен новый метод расчета, с помощью которого удалось найти энергию основного состояния магнитного экситона и спектр его возбужденных состояний без предположения о малости кулоновского взаимодействия. Найдены эффективная масса m* и зависимость энергии экситона от его импульса P. Исследовано поведение экситона в скрещенных электрическом и магнитном полях. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментов в реальных магнитных полях ~10⁴ -10⁵ Э для таких полупроводников, как InSb, InAs, GaAs и т.д., где отношение me/mh ≲ 0,1.