Магнитный экситон в двухслойной системе
Рассмотpено связанное состояние легкого электрона с массой me и тяжелой дырки с массой mh (mh>>me ) в двухслойной системе в магнитном поле. Поле считается сильным только для электрона (aBe >> l₀ , где aBe= ·²/(mee²) - боровский радиус, а l₀=√ cℏ/(eB) - магнитная длина). Предложен новый м...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129169 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Магнитный экситон в двухслойной системе / Е.Д. Вол, С.И. Шевченко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 787-791. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-129169 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1291692018-01-17T03:04:37Z Магнитный экситон в двухслойной системе Вол, Е.Д. Шевченко, С.И. Электpонные свойства металлов и сплавов Рассмотpено связанное состояние легкого электрона с массой me и тяжелой дырки с массой mh (mh>>me ) в двухслойной системе в магнитном поле. Поле считается сильным только для электрона (aBe >> l₀ , где aBe= ·²/(mee²) - боровский радиус, а l₀=√ cℏ/(eB) - магнитная длина). Предложен новый метод расчета, с помощью которого удалось найти энергию основного состояния магнитного экситона и спектр его возбужденных состояний без предположения о малости кулоновского взаимодействия. Найдены эффективная масса m* и зависимость энергии экситона от его импульса P. Исследовано поведение экситона в скрещенных электрическом и магнитном полях. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментов в реальных магнитных полях ~10⁴ -10⁵ Э для таких полупроводников, как InSb, InAs, GaAs и т.д., где отношение me/mh ≲ 0,1. The bound state of a light electron of mass meme and a heavy hole of mass mhmh (mh≫me)(mh≫me) is considered for a two-layer system in a magnetic field. The field is assumed strong only for the electron (aBe≫l₀, where aeB=ℏ²/(mee²) is the Bohr radius, and √l₀=cℏ/(eB) is the magnetic length). A new method of calculation is proposed by which one can find the ground-state energy of a magnetic exciton and the spectrum of its excited states without assuming that the Coulomb interaction is small. The effective mass m* is found, and the dependence of the energy of the exciton on its momentum P is obtained. The behavior of the exciton in crossed electric and magnetic fields is investigated. The results can be used for analysis of experiments in real magnetic fields ∼10⁴–10⁵ Oe for such semiconductors as InSb, InAs, GaAs, etc., where the ratio me/mh ≲ 0.1. 2000 Article Магнитный экситон в двухслойной системе / Е.Д. Вол, С.И. Шевченко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 787-791. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.61.Cw, 72.20.Ht http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129169 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов |
| spellingShingle |
Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов Вол, Е.Д. Шевченко, С.И. Магнитный экситон в двухслойной системе Физика низких температур |
| description |
Рассмотpено связанное состояние легкого электрона с массой me и тяжелой дырки с массой mh (mh>>me ) в двухслойной системе в магнитном поле. Поле считается сильным только для электрона (aBe >> l₀ , где aBe= ·²/(mee²) - боровский радиус, а l₀=√ cℏ/(eB) - магнитная длина). Предложен новый метод расчета, с помощью которого удалось найти энергию основного состояния магнитного экситона и спектр его возбужденных состояний без предположения о малости кулоновского взаимодействия. Найдены эффективная масса m* и зависимость энергии экситона от его импульса P. Исследовано поведение экситона в скрещенных электрическом и магнитном полях. Полученные результаты могут быть использованы при анализе экспериментов в реальных магнитных полях ~10⁴ -10⁵ Э для таких полупроводников, как InSb, InAs, GaAs и т.д., где отношение me/mh ≲ 0,1. |
| format |
Article |
| author |
Вол, Е.Д. Шевченко, С.И. |
| author_facet |
Вол, Е.Д. Шевченко, С.И. |
| author_sort |
Вол, Е.Д. |
| title |
Магнитный экситон в двухслойной системе |
| title_short |
Магнитный экситон в двухслойной системе |
| title_full |
Магнитный экситон в двухслойной системе |
| title_fullStr |
Магнитный экситон в двухслойной системе |
| title_full_unstemmed |
Магнитный экситон в двухслойной системе |
| title_sort |
магнитный экситон в двухслойной системе |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129169 |
| citation_txt |
Магнитный экситон в двухслойной системе / Е.Д. Вол, С.И. Шевченко // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 787-791. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT voled magnitnyjéksitonvdvuhslojnojsisteme AT ševčenkosi magnitnyjéksitonvdvuhslojnojsisteme |
| first_indexed |
2023-10-18T20:57:06Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:57:06Z |
| _version_ |
1796151532788383744 |