Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффект...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129193 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффектов слабой локализации и взаимодействия подвижных носителей заряда (дырок) в двумерной электронной системе в условиях сильного спин-орбитального взаимодействия. Из анализа поведения квантовых поправок определена температурная зависимость времени фазовой релаксации носителей τφ=AT⁻¹ , где A≈(1,4±0,3)×10⁻¹²K⋅c, рассматриваемая как проявление процессов междырочного рассеяния, а также получены значения константы взаимодействия (λT≈ 0,64- 0,73). |
|---|