Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии
Исследовано поведение проводимости при изменении температуры (в интервале 1,5-40 К) и напряженности магнитного поля (до 20 кЭ) для серии образцов с δ⟨Bс)-слоем в Si с концентрацией дырок в проводящем d-слое 2,5×10¹³-2,2×10¹⁴ см⁻² . Показано, что эти зависимости успешно объясняются проявлением эффект...
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | Красовицкий, Вит.Б., Комник, Ю.Ф., Миронов, М., Волл, Т.Е. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129193 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии / Вит.Б. Красовицкий, Ю.Ф. Комник, М. Миронов, Т.Е. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 815-820. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Особенности электронных свойств δ‹Sb›-слоев в эпитаксиальном кремнии. 1. Общая физическая картина
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1996) -
Особенности электронных свойств δ<SЬ>-слоев в эпитаксиальном кремнии. ІІІ. Электрон-фононная релаксация
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1997) -
Особенности электронных свойств δ(Sb)-слоев в эпитаксиальном кремнии. 2. Эффекты слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия
за авторством: Каширин, В.Ю., та інші
Опубліковано: (1996) -
Генерация неравновесных фононов и фонон-электронное увлечение в висмуте
за авторством: Красовицкий, Вит.Б., та інші
Опубліковано: (1999) -
"Высокотемпературные" осцилляции проводимости висмута в ультраквантовом пределе
за авторством: Красовицкий, Вит.Б., та інші
Опубліковано: (1999)