Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

В кристалле KI–Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (π-компонент; 3,3...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Шункеев, К.Ш., Жантурина, Н.Н., Аймаганбетова, З.К., Бармина, A.A., Мясникова, Л.Н., Сагимбаева, Ш.Ж., Сергеев, Д.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Low-Temperature Radiation Effects in Wide Gap Materials
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129197
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации / К.Ш. Шункеев, Н.Н. Жантурина, З.К. Аймаганбетова, А.А. Бармина, Л.Н. Мясникова, Ш.Ж. Сагимбаева, Д.М. Сергеев // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 7. — С. 738-742. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси