Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием...
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-129201 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1292012018-01-17T03:04:26Z Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. Электpонные свойства металлов и сплавов Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5. The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found. 2000 Article Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Fz, 72.20.My http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов |
spellingShingle |
Электpонные свойства металлов и сплавов Электpонные свойства металлов и сплавов Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах Физика низких температур |
description |
Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5. |
format |
Article |
author |
Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. |
author_facet |
Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. |
author_sort |
Комник, Ю.Ф. |
title |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
title_short |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
title_full |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
title_fullStr |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
title_full_unstemmed |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах |
title_sort |
квантовые эффекты в дырочных si/sige гетеропереходах |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2000 |
topic_facet |
Электpонные свойства металлов и сплавов |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201 |
citation_txt |
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT komnikûf kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT andrievskijvv kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT berkutovib kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT krâčkoss kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT mironovm kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah AT vollte kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah |
first_indexed |
2023-10-18T20:57:08Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:57:08Z |
_version_ |
1796151536199401472 |