Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б., Крячко, С.С., Миронов, М., Волл, Т.E.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-129201
record_format dspace
spelling irk-123456789-1292012018-01-17T03:04:26Z Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах Комник, Ю.Ф. Андриевский, В.В. Беркутов, И.Б. Крячко, С.С. Миронов, М. Волл, Т.E. Электpонные свойства металлов и сплавов Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5. The temperature and magnetic-field dependences of the resistance of Si/SiGe heterojunctions with hole-type conductivity are investigated. It is shown that the features of these dependences are due to a manifestation of quantum interference effects — weak localization of the mobile charge carriers, and the hole–hole interaction in the two-dimensional electron system. On the basis of an analysis of the quantum interference effects, the temperature dependence of the dephasing time of the wave function of the charge carrier is determined: τφ=6.6×10⁻¹²T⁻¹s. This dependence τφ∝T⁻¹ must be regarded as a manifestation of hole–hole scattering processes in the two-dimensional electron system. The contribution to the magnetoresistance from the hole–hole interaction in the Cooper channel is extracted, and the corresponding interaction constant λC0≈0.5 is found. 2000 Article Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.Fz, 72.20.My http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
spellingShingle Электpонные свойства металлов и сплавов
Электpонные свойства металлов и сплавов
Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
Физика низких температур
description Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: τφ= 6,6×10⁻¹² T⁻¹ c.Зависимость τφ∝T⁻¹ следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия λ₀C ≈ 0,5.
format Article
author Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
author_facet Комник, Ю.Ф.
Андриевский, В.В.
Беркутов, И.Б.
Крячко, С.С.
Миронов, М.
Волл, Т.E.
author_sort Комник, Ю.Ф.
title Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_short Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_full Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_fullStr Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_full_unstemmed Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
title_sort квантовые эффекты в дырочных si/sige гетеропереходах
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2000
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201
citation_txt Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT komnikûf kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT andrievskijvv kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT berkutovib kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT krâčkoss kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT mironovm kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
AT vollte kvantovyeéffektyvdyročnyhsisigegeteroperehodah
first_indexed 2023-10-18T20:57:08Z
last_indexed 2023-10-18T20:57:08Z
_version_ 1796151536199401472