Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2000
Автори: Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Беркутов, И.Б., Крячко, С.С., Миронов, М., Волл, Т.E.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129201
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах / Ю.Ф. Комник, В.В. Андриевский, И.Б. Беркутов, С.С. Крячко, М. Миронов, Т.E. Волл // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 8. — С. 829-836. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine