Влияние немагнитной примеси на температуру сверхпроводящего перехода в слоистых структурах с нефононным механизмом сверхпроводимости

• Дата: 2000
• Автори: Палистрант, М.Е., Кочорбэ, Ф.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2000
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129240
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние немагнитной примеси на температуру сверхпроводящего перехода в слоистых структурах с нефононным механизмом сверхпроводимости / М.Е. Палистрант, Ф.Г. Кочорбэ // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 11. — С. 1077-1090. — Бібліогр.: 46 назв. — рос.

Исследовано влияние немагнитных примесей на температуру сверхпроводящего перехода T c в сверхпроводниках с нефононным механизмом сверхпроводимости. При этом учитываются две особенности, присущие высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП): перекрытие энергетических зон и переменная плотность носителей заряда. Рассмотрены случаи s- и dx² - y²-симметрии параметра порядка. Доказано нарушение теоремы Андерсона в случае s-симметрии параметров порядка как за счет межзонного рассеяния электронов на примесях, так и за счет внутризонного благодаря электрон-дырочной асимметрии в системе с нефононным механизмом сверхпроводимости. Получены аналитические выражения для величины Tc в области малых и больших концентраций примеси, а также найдены численные решения самосогласованной системы уравнений. Проанализировано влияния различных механизмов (изменение химического потенциала, внутризонных и межзонных времен релаксации на примеси) на Tc при указанных выше типах симметрии. Показана возможность объяснения ряда особенностей, присущих ВТСП, и, в частности, возможность полного подавления сверхпроводимости немагнитной примесью, получения высоких значений Tc при допировании диэлектрика. Показано также, что с ростом межзонного рассеяния на примесном потенциале происходит изменение зависимости Tc от концентрации примеси. Получено качественное согласие предложенной теории с экспериментальными данными по зависимости Tc от концентрации примесей Zn, Al и Ga в иттриевых и лантановых керамиках.