Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si²
В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соеди...
Збережено в:
| Дата: | 2000 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2000
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129247 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-129247 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1292472018-01-19T03:04:31Z Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² Гаджиев, Б.Р. Низкотемпеpатуpный магнетизм В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr₂Si₂ описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности. It is shown in a phenomenological approach that the symmetry space group I4/mmm of the paramagnetic phase in compounds of the ThCr₂Si₂ type arises as a result of a structural phase transition from a close-packed paraphase with space group Im3m It is found that the real magnetic orderings in compounds of the ThCr₂Si₂ type is described by transition parameters belonging to a single direction, along the line joining the points of maximum symmetry in the Brillouin zone of the I4/mmm group. It is shown that the variations of the modulus of the wave vector are a consequence of a change in the dopant concentration. The spatial dependence of the order parameter in the incommensurate phases is obtained for the corresponding universality classes. 2000 Article Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. 0132-6414 PACS: 75.25.+z http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129247 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Низкотемпеpатуpный магнетизм Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| spellingShingle |
Низкотемпеpатуpный магнетизм Низкотемпеpатуpный магнетизм Гаджиев, Б.Р. Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² Физика низких температур |
| description |
В рамках феноменологического подхода показано, что в соединениях типа ThCr₂Si₂ пространственная группа симметрии I4/mmm парамагнитной фазы возникает в результате структурного фазового перехода из плотноупакованной прафазы с группой симметрии Im3m. Найдено, что реальные магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr₂Si₂ описываются параметрами переходов, принадлежащими одному направлению, соединяющему точки максимальной симметрии в зоне Бриллюэна группы I4/mmm. Показано, что ваpиации модуля волнового вектора являются следствием изменения концентрации допирующего вещества. Получены пространственные зависимости параметра порядка в несоpазмерных фазах для соответствующих классов унивеpсальности. |
| format |
Article |
| author |
Гаджиев, Б.Р. |
| author_facet |
Гаджиев, Б.Р. |
| author_sort |
Гаджиев, Б.Р. |
| title |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_short |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_full |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_fullStr |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_full_unstemmed |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² |
| title_sort |
генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа thcr²si² |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2000 |
| topic_facet |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129247 |
| citation_txt |
Генезис структур и магнитные упорядочения в соединениях типа ThCr²Si² / Б.Р. Гаджиев // Физика низких температур. — 2003. — Т. 26, № 12. — С. 1182-1190. — Бібліогр.: 17. назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT gadžievbr genezisstrukturimagnitnyeuporâdočeniâvsoedineniâhtipathcr2si2 |
| first_indexed |
2023-10-18T20:57:15Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:57:15Z |
| _version_ |
1796151541078425600 |