Спонтанная поляризация нестехиометричных кристаллов LiIO₃ в области низких температур

• Дата: 2016
• Автори: Matyjasik, S., Шалдин, Ю.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2016
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Динамика кристаллической решетки
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129301
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спонтанная поляризация нестехиометричных кристаллов LiIO₃ в области низких температур / S. Matyjasik, Ю.В. Шалдин // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 1027-1034. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Приведены результаты измерений суммарного заряда Q(T) = S∆Ps(Т) в нестехиометрических образцах LiIO₃ z-среза в интервале температур 4,2–300 К. Приведенная информация была дополнена данными термостимулированной деполяризации, индуцированной внешним электрическим полем разной величи- ны и полярности. При Т свыше 130 К обнаружены аномалии зависимости ∆Ps (Т,U), обусловленные, как правило, отклонением состава кристалла от стехиометрии. Возможная природа нестехиометрии была уточнена по данным магнитных измерений, позволивших обнаружить межузельный литий ниже 100 К, а также два парамагнитных ассоциата при 25 и 50 К неизвестной природы. Повышение температуры при- водит к ионизации межузельного лития с образованием ионов Li⁺ и ассоциатов (VO⁺2e )⁻ and ( VO⁺⁺ VLi⁻)⁺ ответственных за ионную проводимость. В режиме измерения заряда при Т > 140 К не исключена возможность образования ассоциатов другого типа Li ( , Li ), V − + обладающих дипольным моментом и ориен- тируемых в направлении, обратном к ∆Ps. Показано, что в ограниченном интервале температур от 18 до 35 К зависимость ∆Ps от температуры ~ Т 4 соответствует теории М. Борна. Обнаружены значительные флуктуации пирокоэффициента, связанные, на первый взгляд, с разупорядочением кристаллической структуры нестехиометричного образца, приводящим к распределению времен релаксации элементов дефектной подсистемы.