Термоэлектрические явления в слоистых проводниках вблизи электронного топологического перехода Лифшица

Теоретически исследован отклик электронной системы на неоднородный разогрев слоистых проводников с квазидвумерным энергетическим спектром носителей заряда вблизи электронного топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления, происходит изме...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автор: Песчанский, В.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129375
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Термоэлектрические явления в слоистых проводниках вблизи электронного топологического перехода Лифшица / В.Г. Песчанский // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 2. — С. 303-312. — Бібліогр.: 35 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Теоретически исследован отклик электронной системы на неоднородный разогрев слоистых проводников с квазидвумерным энергетическим спектром носителей заряда вблизи электронного топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления, происходит изменение связности поверхности Ферми (ПФ). На примере различных моделей закона дисперсии электронов проводимости показано большое разнообразие электронных топологических переходов в слоистых проводниках, сопровождаемых необычной зависимостью кинетических коэффициентов от магнитного поля. При достаточно близком сближении отдельных полостей ПФ проанализировано блуждание электронов проводимости по различным полостям ПФ в результате магнитного пробоя и рассчитана зависимость термоэлектрических коэффициентов от величины и ориентации достаточно сильного магнитного поля В, когда циклотронная частота ωc много больше частоты столкновений электронов проводимости 1/τ. Экспериментальное исследование этих эффектов позволит получить важную информацию об энергетическом спектре носителей заряда.