Термоэлектрические явления в слоистых проводниках вблизи электронного топологического перехода Лифшица
Теоретически исследован отклик электронной системы на неоднородный разогрев слоистых проводников с квазидвумерным энергетическим спектром носителей заряда вблизи электронного топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления, происходит изме...
Збережено в:
Дата: | 2017 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129375 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Термоэлектрические явления в слоистых проводниках вблизи электронного топологического перехода Лифшица / В.Г. Песчанский // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 2. — С. 303-312. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Теоретически исследован отклик электронной системы на неоднородный разогрев слоистых проводников
с квазидвумерным энергетическим спектром носителей заряда вблизи электронного топологического перехода Лифшица, когда под действием внешнего воздействия на проводник, например давления, происходит
изменение связности поверхности Ферми (ПФ). На примере различных моделей закона дисперсии электронов проводимости показано большое разнообразие электронных топологических переходов в слоистых проводниках, сопровождаемых необычной зависимостью кинетических коэффициентов от магнитного поля.
При достаточно близком сближении отдельных полостей ПФ проанализировано блуждание электронов проводимости по различным полостям ПФ в результате магнитного пробоя и рассчитана зависимость термоэлектрических коэффициентов от величины и ориентации достаточно сильного магнитного поля В, когда
циклотронная частота ωc много больше частоты столкновений электронов проводимости 1/τ. Экспериментальное исследование этих эффектов позволит получить важную информацию об энергетическом спектре
носителей заряда. |
---|