Топологические переходы Лифшица, индуцированные деформацией и легированием в монокристаллических нитях висмута

• Дата: 2017
• Автори: Николаева, А.А., Конопко, Л.А., Хубер, Т.Е., Кобылянская, А.К., Пара, Г.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129376
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Топологические переходы Лифшица, индуцированные деформацией и легированием в монокристаллических нитях висмута / А.А. Николаева, Л.А. Конопко, Т.Е. Хубер, А.К. Кобылянская, Г.И. Пара // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 2. — С. 313-321. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Исследованы особенности проявления электронных топологических переходов Лифшица (ЭТП) в нитях висмута в стеклянной оболочке при качественном изменении топологии поверхности Ферми. Варьирование параметров энергетического спектра осуществлялось легированием Bi акцепторной примесью Sn и упругой деформацией растяжения до 2% относительного удлинения в слаболегированных нитях Bi р-типа. Монокристаллические нити чистого и легированного висмута в стеклянной оболочке различных диаметров с ориентацией (1011) вдоль оси получали литьем из жидкой фазы по методу Улитовского. Впервые обнаружены аномалии на температурных зависимостях термоэдс α(Т) в виде тройной смены знака α (при сильном легировании нитей Bi акцепторной примесью Sn), вызванные ЭТП. Концентрационное и энергетическое положение ∑-зоны при сильном легировании висмута Sn оценивалось с помощью осцилляций Шубникова–де Гааза, которые были видны как от L-электронов, так и от T-дырок в магнитных полях до 14 Тл. Показано, что электронные топологические переходы Лифшица при упругой деформации слаболегированных нитей Bi р-типа сопровождаются аномалиями на деформационных зависимостях термоэдс при низких температурах. Эффект интерпретируется с точки зрения возникновения селективного канала рассеяния L- носителей в T-зону с большой плотностью состояний, что хорошо согласуется с существующими теоретическими моделями ЭТП.