Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ω...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Савельев, А.П., Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129429
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-129429
record_format dspace
spelling irk-123456789-1294292018-01-20T03:03:30Z Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs Савельев, А.П. Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T–κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B, T) та холлівський ρxy(B, T) опори у магнітном полі B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs з поодинокими і подвійними сильно пов’язаними квантовими ямами з різною шириною бар’єру між ямами. Показано, що при ωcτ ≅ 1 існує критичне значення магнітного поля, поблизу якого виконується скейлінгове співвідношення ρxx ∝|B – BC|T –κ , що свідчить про спостереження фазового переходу з діелектричного стану у фазу квантового ефекту Холла. Виявлено, що значення критичного індексу κ залежить від ширини бар’єру між подвійними квантовими ямами. Обговорюється природа такої поведінки. The longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistances in magnetic fields B up to 12 T at temperatures T = 1.8–80 K are studied experimentally in n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs nanostructures with single and double strongly-coupled quantum wells separated by different barrier widths. It is shown that for ω c τ ≅ 1 there is a critical magnetic field near which the scaling relation ρxx≅|B−BC|T−κ , which is indicative of a phase transition from a dielectric state to a quantum hall state, is satisfied. It is found that the critical index κ depends on the width of the barrier between the double quantum wells. The nature of this behavior is discussed. 2017 Article Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129429 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
spellingShingle XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Савельев, А.П.
Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
Физика низких температур
description Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными квантовыми ямами с разной шириной барьера между ямами. Показано, что при ωcτ ≅ 1 существует критическое значение магнитного поля, вблизи которого выполняется скейлинговое соотношение ρxx ∝|B – BC|T–κ, что свидетельствует о наблюдении фазового перехода из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла. Обнаружено, что значение критического индекса κ зависит от ширины барьера между двойными квантовыми ямами. Обсуждается природа такого поведения.
format Article
author Савельев, А.П.
Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
author_facet Савельев, А.П.
Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г.
Неверов, В.Н.
Подгорных, С.М.
Якунин, М.В.
author_sort Савельев, А.П.
title Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
title_short Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
title_full Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
title_fullStr Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
title_full_unstemmed Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
title_sort фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта холла в гетероструктурах n-ingaas/gaas
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2017
topic_facet XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129429
citation_txt Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs / А.П. Савельев, С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 612-617. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT savelʹevap fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
AT gudinasv fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
AT arapovûg fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
AT neverovvn fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
AT podgornyhsm fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
AT âkuninmv fazovyjperehodizdiélektričeskogosostoâniâvfazukvantovogoéffektahollavgeterostrukturahningaasgaas
first_indexed 2023-10-18T20:57:49Z
last_indexed 2023-10-18T20:57:49Z
_version_ 1796151565829013504

Схожі ресурси