Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле

• Дата: 2017
• Автори: Боголюбский, А.С., Гудина, С.В., Неверов, В.Н., Новокшонов, С.Г., Якунин, М.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Назва видання: Физика низких температур
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129430
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле / А.С. Боголюбский, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.Г. Новокшонов, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 618-622. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы. Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности.