Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
Представлены результаты исследования эффекта Шубникова–де Гааза и термоэлектрических свойств монокристаллов p-(Bi₀.₅Sb₀.₅)₂Te₃, легированных Ga, n-Bi₂–xTlxSe₃ и p-Sb₂–xTlxTe₃. По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании. Установлено, что Ga д...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129442 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе / В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.А. Кудряшов, Р.А. Лунин, A. Banerjee // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 566-580. — Бібліогр.: 62 назв. — рос. |