Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла

• Дата: 2017
• Автори: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Суворов, А.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129529
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 1094-1100. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от –900 до 900 мВ и при температурах 4,2–8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Авторы полагают, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.