Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла

Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла

Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Шатерник, В.Е., Шаповалов, А.П., Суворов, А.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2017
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129529
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 1094-1100. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-129529
record_format dspace
spelling irk-123456789-1295292018-01-20T03:04:07Z Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла Шатерник, В.Е. Шаповалов, А.П. Суворов, А.Ю. Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от –900 до 900 мВ и при температурах 4,2–8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Авторы полагают, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Створено та експериментально досліджено тонкоплівкові гетероструктури MoRe–Si(W)–MoRe, що складаються з надпровідних обкладинок (сплав молібдену з ренієм) та гібридного напівпровідникового тунельного бар’єру з нанорозмірного шару кремнію з нанокластерами вольфраму. Вольт-амперні характеристики таких переходів було виміряно в широкому інтервалі напруг від –900 до 900 мВ та при температурах 4,2–8 К під дією магнітного поля та НВЧ випромінювання. Автори висувають припущення, що отримані температурні залежності надпровідного критичного струму та нормального опору гетероcтруктури вказують на можливість реалізації режиму кулонівської блокади, резонансного тунелювання та резонансно-перколяційного механізму транспорту в них в залежності від вмісту вольфраму в гібридному бар'єрі та величини прикладеної до гетероструктури напруги зсуву. Виміряні характеристики дозволяють припустити, що при перевищенні деякого критичного значення надструму в кластерах вольфраму виникають центри проковзування фази надпровідного параметру порядку. Thin-film MoRe–Si(W)–MoRe heterostructures consisting of superconducting electrodes (molybdenum-rhenium alloy) and a hybrid semiconductor tunnel barrier consisting of a nanosized silicon layer with tungsten nanoclusters were fabricated and experimentally studied. Current-voltage characteristics of the heterostructures were measured in a wide voltage range from −900 to 900 mV and at temperatures from 4.2 to 8 K, under applied magnetic fields and microwave irradiation. We argue that the temperature dependences of the superconducting critical current and normal-state resistance of the heterostructures might indicate the presence of Coulomb blockade regime, resonant tunneling and resonant-percolation transport mechanism in the junctions, depending on the tungsten content in the hybrid barrier and the applied bias voltage. The measured characteristics suggest that for the superconducting current exceeding some critical value, the phase-slip centers of the superconducting order parameter are formed in the tungsten clusters. 2017 Article Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 1094-1100. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.23.Hk, 74.50.+r, 74.81.–g, http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129529 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
spellingShingle Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Суворов, А.Ю.
Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
Физика низких температур
description Созданы и экспериментально исследованы тонкопленочные гетероструктуры MoRe–Si(W)–MoRe, состоящие из сверхпроводящих обкладок (сплав молибдена с рением) и гибридного полупроводникового туннельного барьера из наноразмерного слоя кремния с нанокластерами вольфрама. Вольт-амперные характеристики таких переходов были измерены в широком интервале напряжений от –900 до 900 мВ и при температурах 4,2–8 К под воздействием магнитного поля и СВЧ излучения. Авторы полагают, что полученные температурные зависимости сверхпроводящего критического тока и нормального сопротивления гетероструктуры указывают на возможность реализации в них режима кулоновской блокады, резонансного туннелирования и резонансно-перколяционного механизма транспорта в зависимости от содержания вольфрама в гибридном барьере и величины приложенного к образцам напряжения смещения. Измеренные характеристики позволяют предположить, что при превышении некоторого критического значения сверхтока в кластерах вольфрама возникают центры проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка.
format Article
author Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Суворов, А.Ю.
author_facet Шатерник, В.Е.
Шаповалов, А.П.
Суворов, А.Ю.
author_sort Шатерник, В.Е.
title Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
title_short Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
title_full Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
title_fullStr Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
title_full_unstemmed Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
title_sort зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах more–si(w)–more с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2017
topic_facet Сверхпроводящие и мезоскопические структуры. К 70-летию со дня рождения А.Н. Омельянчука
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129529
citation_txt Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла / В.Е. Шатерник, А.П. Шаповалов, А.Ю. Суворов // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 1094-1100. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT šaternikve zarâdovyjtransportvsverhprovodâŝihgeterostrukturahmoresiwmoresgibridnympoluprovodnikovymbarʹeromsnanoklasteramimetalla
AT šapovalovap zarâdovyjtransportvsverhprovodâŝihgeterostrukturahmoresiwmoresgibridnympoluprovodnikovymbarʹeromsnanoklasteramimetalla
AT suvorovaû zarâdovyjtransportvsverhprovodâŝihgeterostrukturahmoresiwmoresgibridnympoluprovodnikovymbarʹeromsnanoklasteramimetalla
first_indexed 2023-10-18T20:58:05Z
last_indexed 2023-10-18T20:58:05Z
_version_ 1796151576505614336

Схожі ресурси