Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2001
Автори:	Сугаков, В.И., Шевцова, О.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129846
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-129846
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1298462018-01-31T03:02:58Z Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости. The influence of superconducting inclusions on the electrophysical properties of a semiconductor or insulator crystal is investigated. The critical magnetic field of an isolated spherical inclusion is calculated under the assumption that the radius of the inclusion is smaller than or of the order of the coherence length. The conductivity of a crystal containing a set of inclusions is calculated as a function of temperature and magnetic field. It is assumed in the conductivity calculations that the concentration of inclusions is insufficient for the appearance of superconductivity in the whole sample (i.e., it is below the percolation threshold). It is shown that the presence of superconducting inclusions leads to a sharp increase in the conductivity of the sample at low temperatures and to a strong dependence of the conductivity on magnetic field (magnetoresistance). The magnetoresistance is due to suppression of the superconductivity in the inclusions as the magnetic field is increased. The influence of a variance in the dimensions of the inclusions on the temperature and magnetic-field dependence of the conductivity is investigated. 2001 Article Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.De, 74.25.Fy, 74.80.-g, 74.80.Bj http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129846 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
spellingShingle	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н. Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров Физика низких температур
description	Исследовано влияние сверхпроводящих включений, находящихся в полупpоводниковой или диэлектрической матрице, на электрофизические свойства диэлектрика. В предположении, что радиус включений меньше или порядка длины когерентности, определено критическое магнитное поле сферического единичного включения. Для кристалла с множеством включений рассчитана зависимость проводимости от темпеpатуpы и магнитного поля. При расчетах проводимости предполагалось, что концентрация включений недостаточна для появления сверхпроводимости во всем образце (т.е. ниже порога протекания). Показано, что наличие сверхпроводящих включений приводит к резкому увеличению проводимости образца при низких температурах и сильной зависимости проводимости от магнитного поля магнитосопротивлению). Магнитосопротивление обусловлено подавлением сверхпроводимости во включениях с ростом магнитного поля. Изучено влияние разброса размеров включений на температурную и магнитополевую зависимости проводимости.
format	Article
author	Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н.
author_facet	Сугаков, В.И. Шевцова, О.Н.
author_sort	Сугаков, В.И.
title	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_short	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_full	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_fullStr	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_full_unstemmed	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
title_sort	электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2001
topic_facet	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129846
citation_txt	Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров / В.И. Сугаков, О.Н. Шевцова // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 121-126. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT sugakovvi élektrofizičeskiesvojstvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov AT ševcovaon élektrofizičeskiesvojstvakristallovsoderžaŝihsverhprovodâŝievklûčeniâmalyhrazmerov
first_indexed	2023-10-18T20:58:47Z
last_indexed	2023-10-18T20:58:47Z
_version_	1796151607306485760

Электрофизические свойства кристаллов, содержащих сверхпроводящие включения малых размеров

Репозитарії

Схожі ресурси