Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков

Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков θ, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности ξ...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Пашицкий, Э.А., Вакарюк, В.И., Рябченко, С.М., Федотов, Ю.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2001
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129848
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Температурная зависимость критического тока в высокотемпературных сверхпроводниках с малоугловыми границами раздела кристаллических блоков / Э.А. Пашицкий, В.И. Вакарюк, С.М. Рябченко, Ю.В. Федотов // Физика низких температур. — 2001. — Т. 27, № 2. — С. 131-139. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Рассмотрена модель ограничения критического тока в достаточно совершенных ВТСП кристаллах и эпитаксиальных пленках с блочной структурой при малых углах разориентации кристаллических блоков θ, когда расстояние d между краевыми дислокациями вдоль границ раздела блоков больше, чем длина когерентности ξ(T). Показано, что в этих условиях прозрачность малоугловых границ раздела для сверхпроводящих носителей тока вблизи критической температуры Tc практически не зависит от θ и T. В результате единственным фактором, определяющим температурную зависимость плотности критического тока jc(T), остается ток распаривания j₀ (T) µ (1 - T/Tc)³/². Вблизи Tc, когда ξ(T) > d, происходит переход от зависимости jcT) ~ (1 - T/Tc)³/² к jc(T) ~ (1-T/Tc)². Такое поведение jc(T) хорошо согласуется с результатами проведенных экспериментов по измерению критических токов в тонких эпитаксиальных пленках YBa₂Cu₃O₇₋d .