Структурно-фазові, морфологічні та електрофізичні властивості нанокомпозитів FeF₃∙nH₂O (n = 0; 0,33; 3)/С
Роботу присвячено вивченню термічно індукованих структурно-фазових перетворень у системі FeF₃∙nH₂O з аналізою перебігу морфологічних змін матеріялів β-FeF₃∙3H₂O, FeF₃∙0,33H₂O та r-FeF₃. Досліджено механізм провідности фторидів заліза з різними ступенями гідратації та композитів з вуглецем на їх осно...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | Мокляк, В.В., Остафійчук, Б.К., Коцюбинський, В.О., Збіглей, Л.З., Груб’як, А.Б., Колковський, П.І. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2016
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129942 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Структурно-фазові, морфологічні та електрофізичні властивості нанокомпозитів FeF₃∙nH₂O (n = 0; 0,33; 3)/С / В.В. Мокляк, Б.К. Остафійчук, В.О. Коцюбинський, Л.З. Збіглей, А.Б. Груб’як, П.І. Колковський // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2016. — Т. 14, № 3. — С. 403-423. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
The features of NiCx (x < 0.33) phase formation at the mechanochemical alloying of Ni—CNT and N—graphite mixtures
за авторством: O. I. Nakonechna, та інші
Опубліковано: (2020) -
Фотокаталітичні властивості нанокомпозитів анатаз/брукіт
за авторством: Коцюбинський, В.О., та інші
Опубліковано: (2017) -
Особливості формування фаз NiCx (x < 0,33) за умов механохімічного легування сумішей Ni-ВНТ і Ni-графіт
за авторством: Наконечна, О.І., та інші
Опубліковано: (2020) -
New low-dimensional molecular conductors α′′-(BEDO-TTF)2Cl·3H2O and θ-(BDH-TTP)2(Br0.67Cl0.33)·3H2O
за авторством: L. V. Zorina, та інші
Опубліковано: (2011) -
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)